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RIGAKU日本理学用于薄膜评估的 X 射线荧光光谱仪WaferX 310
WaferX 310 系列
用于薄膜评估的 X 射线荧光光谱仪
波长色散 X 射线荧光光谱仪 （WD-XRF） 可以无损、非接触式方式同时分析 300 mm 和 200 mm 晶圆上各种薄膜的厚度和成分。
这是一种波长色散 X 射线荧光光谱仪 （WD-XRF），可以无损、非接触地同时分析 300 mm 和 200 mm 晶圆上各种薄膜的厚度和成分。 它与 GEM300 兼容，并支持 300mmFab 的在线规格。 XYθZ 驱动式样品台（方法）可准确分析各种金属膜，避免了衍射线的影响。 使用 4kW 高功率 X 射线管可以测量痕量元素。 此外，通过安装高灵敏度硼检测器，可以高精度地分析超轻元素，例如 BPSG 薄膜中的硼分析。 它是同类产品中第一个配备样品高度校正功能和自动校准（全自动日常检查和强度校正功能）的仪器。
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WaferX 310 规格
| 产品名称 | WaferX 310 系列 | |
|---|---|---|
| 技术 | 波长色散 X 射线荧光光谱法 （WD-XRF） | |
| 用 | 晶圆上 300 mm、200 mm 以及各种薄膜厚度和成分 | |
| 科技 | 4 kW 高功率 X 射线源，在工厂自动化中处理 WDXRF | |
| 主要组件 | 多达 21 个通道，固定类型（₄Be 到 ₉₂U），扫描类型（₂₂Ti 到 ₉₂U），CE 标志，GEM-300，SEMI S2/S8 | |
| 选择 | 300 mm 工厂自动化 | |
| 控制 （PC） | 内部 PC、MS Windows®作系统 | |
| 本体尺寸 | 1200 （W） x 1950 （H） x 2498 （D） 毫米 | |
| 质量 | 1166 kg（主机） | |
| 权力 | 三相 200 VAC 50/60 Hz，50 A | |
WaferX 310 概述
支持痕量元素的浓度和成分分析
与从轻到重的各种元件兼容： 4是~92U
高灵敏度硼检测仪 AD-Boron
我们不断开发新的光学系统，例如提高硼分析能力，以提高分析的准确性和稳定性。 此外，它还配备了恒温机构和真空度稳定机构作为稳定标准设备。
X-Y-theta-Z 驱动平台
X-Y-theta-Z 驱动样品台和测量方向设置程序可以准确测量晶圆整个表面的薄膜厚度和成分分布。 铁电薄膜也不受衍射线的影响。
应用
半导体器件 BPSG、SiO2四3N4， ・・掺杂多晶硅（B，P，N，As）， Wsix， ・・AlCu， TiW， TiN， TaN， PZT， BST， SBT， ・・ MRAM， ・・ 金属
薄膜W， Mo， Ti， Co， Ni， Al， Cu， Ir， Pt， Ru， ・・
高κ/金属栅极Al， La， Hf， ・・・
焊料凸块
各种固定测角仪
我们根据薄膜厚度和结构提供最佳的固定测角仪。 我们还有一个专用的光学系统，可以在硅晶片上分析 Wsix 薄膜。
全自动日常管理功能 AutoCal
仪器必须正确校准才能获得准确的分析值。 为此，必须定期测量检查晶圆和 PHA 调整晶圆作为管理晶圆，以保持设备处于良好状态。 这种日常校准工作是自动化的，减少了作员的工作量。 那就是“AutoCal 功能”。
兼容 300mm Fab
配备 Fab 的标准 FOUP/SMIF 接口，兼容 300mm/200mm 晶圆。 此外，它还支持各种 AMHS，并通过支持主机和 SECS/GEM 协议来支持 CIM/FA。
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