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探测器主要参数：
光电性能
指标名称 | 参数 | |
响应光谱范围(μm)*1 | 0.95±0.05~1.7±0.05 | |
像元填充率(%) | 100 | |
量子效率（%） | ≥65 | |
峰值探测率 (𝑐𝑚∙√𝐻𝑧/𝑊𝑊) | ≥1×1012 | |
峰值灵敏度(A/W) | ≥0.8 | |
有效像元率(%)*2 | 100 | |
响应不一致性(%) | <4 | |
读出方式 | IWR、ITR，可选 | |
读出速率(MHz) | ≥10 | |
最高帧频(fps) | >20k | |
增益档位 | 8 | |
饱和电压(V) | 1.6 | |
转换增益(nV/e-) | 增益档位1：1600 增益档位2：800 增益档位3：4000 增益档位4：2665 | 增益档位5：17 增益档位6：84 增益档位7：32 增益档位8：160 |
*1 焦平面温度=25℃
*2 像元响应信号与平均值偏差小于一定范围内的像元百分比
机械性能
指标名称 | 典型值 |
长×宽×高(mm) | 28×15×6.2 |
重量(g) | ~9 |
焦平面规模 | 512×1 |
像元中心距(μm) | 25 |
像元尺寸(μm) | 25×250 |
感光面积(mm) | 12.8×0.25 |
使用环境和功耗参数
指标名称 | 典型值 |
工作温度(℃) | -10~+60 |
存储温度(℃) | -20~+70 |
典型功率(W)*1 | <0.1 |
* 1 未开启 TEC ， 环境温度=25℃ ， 时钟频率=1MHz ， VDDD=VDDA=3.3V ， VBOP=2.4V，VBOUT=VREF=VNDET=2.3V
机械参数
该款探测器采用陶瓷封装形式，充常压高纯氮气，管壳材质为氧化铝陶瓷，盖板及引脚采用FeNiCoSi系合金，表面电镀Ni/Au层，窗口焊接方式为In系钎焊，封盖形式为电阻焊接。探测器外形尺寸为28mm (L)×15mm (W)×6.2mm (H) 。外壳上有30根Φ0.45mm的针脚从背部引出，针脚的间距为1.778mm，用于焦平面电源与指令的输入、焦平面探测信号和温度传感器的电学引出以及热电致冷器的电源输入。 机械接口外观及尺寸如下图所示。
光学参数
光学结构 该产品采用512×1元InGaAs焦平面，其左右两端各有2个冗余元，即整体像元数为516×1，实际使用时推荐使用第3到514列。像元形状为长方形，感光尺寸为25μm×250μm，结构呈“一”字型排列，像元中心距25μm，结构如下图所示：
探测器感光面与封装结构上表面的设计距离值为1.86±0.1mm，感光面与窗口下表面设计距离值为1.16±0.1mm，感光面与安装面/管壳底部设计距离值为4.34±0.1mm。窗口材料为蓝宝石，厚度为0.5±0.05mm，窗口折射率1.76，表面镀有AR膜，响应波段内透过率>95%，窗口透光区域为 16mm×3mm。感光面中心位于探测器中心，相对位置偏移≤0.05mm，相对 旋转位移≤0.02mm。
响应光谱（典型值）
更多详细资料请看产品手册
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